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2SA1362-GR,LF

2SA1362-GR,LF

僅供參考

型號 2SA1362-GR,LF
PNEDA編號 2SA1362-GR-LF
描述 PNP TRANSISTOR VCEO-15V IC-0.8A
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 5,994
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 13 - 七月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SA1362-GR資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SA1362-GR,LF
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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2SA1362-GR規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列*
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 20mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 50mA, 10V

功率-最大

750mW

頻率-過渡

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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頻率-過渡

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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