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2SA1020-Y(ND1,AF)

2SA1020-Y(ND1,AF)

僅供參考

型號 2SA1020-Y(ND1,AF)
PNEDA編號 2SA1020-Y-ND1-AF
描述 TRANS PNP 2A 50V TO226-3
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 6,930
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 12 - 五月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SA1020-Y(ND1資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SA1020-Y(ND1,AF)
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SA1020-Y(ND1, 2SA1020-Y(ND1數據表 (總頁數: 5, 大小: 168.44 KB)
PDF2SA1020-Y數據表 封面
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2SA1020-Y(ND1規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 50mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce70 @ 500mA, 2V
功率-最大900mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 Long Body
供應商設備包裝TO-92MOD

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 100mA, 2V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

1μA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 1mA, 6V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

100mV @ 10mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 100mA, 2V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

25A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 6.25A, 25A

當前-集電極截止(最大值)

2mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 10A, 4V

功率-最大

200W

頻率-過渡

4MHz

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 10µA, 5V

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