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2N918

2N918

僅供參考

型號 2N918
PNEDA編號 2N918
描述 NPN TRANSISTOR
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,322
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 22 - 五月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N918資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N918
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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2N918規格

制造商Microsemi Corporation
系列*
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 350mA, 7A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

420 @ 2mA, 5V

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 10mA, 5V

功率-最大

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1.33A, 4A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

18 @ 700mA, 5V

功率-最大

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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