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2N6668

2N6668

僅供參考

型號 2N6668
PNEDA編號 2N6668_105
描述 TRANS PNP DARL 80V 10A TO220
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 2,430
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 14 - 五月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N6668資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N6668
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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2N6668規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
晶體管類型PNP - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)10A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大65W
頻率-過渡20MHz
工作溫度-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 100mA, 2V

功率-最大

750mW

頻率-過渡

160MHz

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

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制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 2mA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

330MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

100MHz

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-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20000 @ 100mA, 5V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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