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2N6426G

2N6426G

僅供參考

型號 2N6426G
PNEDA編號 2N6426G
描述 TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,050
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 18 - 五月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N6426G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N6426G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2N6426G, 2N6426G數據表 (總頁數: 6, 大小: 78.96 KB)
PDF2N6427RLRAG數據表 封面
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2N6426G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 500µA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)1μA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30000 @ 100mA, 5V
功率-最大625mW
頻率-過渡-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92-3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 2A, 10A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 3A, 2V

功率-最大

5W

頻率-過渡

-

工作溫度

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安裝類型

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 8mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

2mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

750mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 1V

功率-最大

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頻率-過渡

250MHz

工作溫度

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制造商

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 2V

功率-最大

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頻率-過渡

50MHz

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 5A, 25A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 15A, 4V

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