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2N6111G

2N6111G

僅供參考

型號 2N6111G
PNEDA編號 2N6111G
描述 TRANS PNP 30V 7A TO220AB
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 17,832
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 29 - 五月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N6111G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N6111G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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2N6111G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)7A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic3.5V @ 3A, 7A
當前-集電極截止(最大值)1mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 3A, 4V
功率-最大40W
頻率-過渡10MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB

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15V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

450mV @ 10mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

500 @ 10mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 300mA, 30A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 20A, 5V

功率-最大

200W

頻率-過渡

4MHz

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

NPN - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

250V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 150mA, 15A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

400 @ 10A, 5V

功率-最大

150W

頻率-過渡

3MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 10mA, 2V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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