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2N6042G

2N6042G

僅供參考

型號 2N6042G
PNEDA編號 2N6042G
描述 TRANS PNP DARL 100V 8A TO220AB
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 14,124
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 9 - 五月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N6042G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N6042G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2N6042G, 2N6042G數據表 (總頁數: 7, 大小: 286.69 KB)
PDF2N6043數據表 封面
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2N6042G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)8A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic2V @ 12mA, 3A
當前-集電極截止(最大值)20µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce1000 @ 3A, 4V
功率-最大75W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

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45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

800mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 2V

功率-最大

30W

頻率-過渡

3MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 250mA, 1V

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

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系列

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晶體管類型

NPN - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.8V @ 40mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

750 @ 2A, 3V

功率-最大

40W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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6A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 3mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 3A, 2V

功率-最大

30W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

18V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 1mA, 5V

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