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2N5770_D75Z

2N5770_D75Z

僅供參考

型號 2N5770_D75Z
PNEDA編號 2N5770_D75Z
描述 RF TRANS NPN 15V TO92-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,118
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 20 - 五月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N5770_D75Z資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N5770_D75Z
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
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2N5770_D75Z規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)15V
頻率-過渡-
噪聲系數(dB Typ @ f)6dB @ 60MHz
增益15dB
功率-最大350mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce50 @ 8mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92-3

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噪聲系數(dB Typ @ f)

0.7dB @ 900MHz

增益

20dB

功率-最大

450mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-253-4, TO-253AA

供應商設備包裝

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制造商

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.8dB @ 1GHz

增益

12dB

功率-最大

1.2W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 20mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-243AA

供應商設備包裝

-

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

PNP

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

3.3dB @ 500MHz

增益

-

功率-最大

1W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 70mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

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安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

10dB

功率-最大

7W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 100mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

工作溫度

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安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.4dB ~ 2dB @ 1GHz ~ 2GHz

增益

-

功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 5mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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