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2N5551,116

2N5551,116

僅供參考

型號 2N5551,116
PNEDA編號 2N5551-116
描述 TRANS NPN 160V 0.3A TO-92
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 6,966
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 9 - 五月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N5551資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N5551,116
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2N5551, 2N5551數據表 (總頁數: 7, 大小: 53.91 KB)
PDF2N5551數據表 封面
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2N5551規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)300mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)160V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic200mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)50nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 10mA, 5V
功率-最大630mW
頻率-過渡300MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92-3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

20nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

500 @ 100mA, 2V

功率-最大

900mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-PowerVDFN

供應商設備包裝

PowerDI3333-8

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當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 20mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 3A, 3V

功率-最大

2W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

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BC557,112

NXP

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

125 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

TO-92-3

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制造商

Micro Commercial Co

系列

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

220 @ 2mA, 5V

功率-最大

310mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

140V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

12 @ 4A, 10V

功率-最大

60W

頻率-過渡

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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