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2N5459

2N5459

僅供參考

型號 2N5459
PNEDA編號 2N5459
描述 JFET N-CH 25V 625MW TO92
制造商 ON Semiconductor
單價
1 ---------- $0.6431
500 ---------- $0.6129
1,000 ---------- $0.5828
2,500 ---------- $0.5526
5,000 ---------- $0.5275
10,000 ---------- $0.5024
庫存 1,659
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 22 - 七月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N5459資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N5459
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
2N5459, 2N5459數據表 (總頁數: 5, 大小: 129.85 KB)
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2N5459規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)25V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)4mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID2V @ 10nA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7pF @ 15V
電阻-RDS(On)-
功率-最大625mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92-3

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

60µA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

1mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1.5V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1.7pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

125mW

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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ON Semiconductor

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

30V

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

5mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

500mV @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14pF @ 15V

電阻-RDS(On)

100 Ohms

功率-最大

225mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

SOT-23-3 (TO-236)

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

FET類型

2 N-Channel (Dual)

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

25V

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

24mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5pF @ 10V

電阻-RDS(On)

50 Ohms

功率-最大

190mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供應商設備包裝

6-TSSOP

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

210µA @ 5V

電流消耗(Id)-最大

1mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

500mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4.1pF @ 5V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

100mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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-

FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

1.2mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

10mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

180mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4pF @ 10V

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200 Ohms

功率-最大

100mW

工作溫度

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