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2N5320

2N5320

僅供參考

型號 2N5320
PNEDA編號 2N5320_6B
描述 NPN 10W TRANS./2N5322 COMPLIMENT
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,282
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 1 - 五月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N5320資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N5320
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2N5320, 2N5320數據表 (總頁數: 11, 大小: 350 KB)
PDF2N5682數據表 封面
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2N5320規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)75V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 500mA, 4V
功率-最大10W
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-39

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

400nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 10mA, 1V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

500MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

160V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 5A, 4V

功率-最大

150W

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工作溫度

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

25A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 6.25A, 25A

當前-集電極截止(最大值)

2mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 10A, 4V

功率-最大

200W

頻率-過渡

4MHz

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-204AA, TO-3

供應商設備包裝

TO-3

SS9012HTA

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

144 @ 50mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

TO-92-3

制造商

NXP USA Inc.

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晶體管類型

NPN + Zener

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 100mA, 1V

功率-最大

550mW

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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