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2N4919G

2N4919G

僅供參考

型號 2N4919G
PNEDA編號 2N4919G
描述 TRANS PNP 60V 1A TO-225AA
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,766
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 14 - 五月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N4919G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N4919G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2N4919G, 2N4919G數據表 (總頁數: 7, 大小: 261.42 KB)
PDF2N4919數據表 封面
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2N4919G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic600mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)500µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 500mA, 1V
功率-最大30W
頻率-過渡3MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝TO-225AA

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

750mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 1V

功率-最大

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 500µA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

1μA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20000 @ 500mA, 5V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 80mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 4A, 4V

功率-最大

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頻率-過渡

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

200V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 150mA, 15A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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