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2N4401_D11Z

2N4401_D11Z

僅供參考

型號 2N4401_D11Z
PNEDA編號 2N4401_D11Z
描述 TRANS NPN 40V 0.6A TO-92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,398
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 16 - 五月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N4401_D11Z資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N4401_D11Z
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2N4401_D11Z, 2N4401_D11Z數據表 (總頁數: 9, 大小: 707.77 KB)
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2N4401_D11Z規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)600mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic750mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 150mA, 1V
功率-最大625mW
頻率-過渡250MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92-3

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30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

210mV @ 30mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 2V

功率-最大

3.5W

頻率-過渡

420MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-243AA

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

2nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 10mA, 5V

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1.25A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

240mV @ 100mA, 1.25A

當前-集電極截止(最大值)

10nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 2V

功率-最大

885mW

頻率-過渡

220MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

-

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安裝類型

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 100mA, 1V

功率-最大

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頻率-過渡

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