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2N3585

2N3585

僅供參考

型號 2N3585
PNEDA編號 2N3585_5E
描述 NPN POWER SILICON TRANSISTORS
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,344
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 10 - 五月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N3585資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N3585
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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2N3585規格

制造商Microsemi Corporation
系列*
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.2V @ 375mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

300µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 3A, 4V

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當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 2V

功率-最大

2W

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 1A, 2V

功率-最大

1.4W

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當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 150mA, 15A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

400 @ 10A, 5V

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15A

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350V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 800mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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