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2N3485A

2N3485A

僅供參考

型號 2N3485A
PNEDA編號 2N3485A
描述 TRANS PNP 60V 0.6A
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,110
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 9 - 五月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N3485A資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N3485A
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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2N3485A規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)600mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.6V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)10µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce40 @ 150mA, 10V
功率-最大400mW
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-46 (TO-206AB)

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

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45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 100mA, 1V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

170MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 100mA, 1V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

-

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

400 @ 100µA, 5V

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625mW

頻率-過渡

50MHz

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-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 20mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 2V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 1A, 2V

功率-最大

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工作溫度

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