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2N335ALT2

2N335ALT2

僅供參考

型號 2N335ALT2
PNEDA編號 2N335ALT2
描述 NPN POWER SILICON TRANSISTORS
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,844
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 28 - 七月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N335ALT2資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N335ALT2
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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2N335ALT2規格

制造商Microsemi Corporation
系列*
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.7V @ 600mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 100mA, 1V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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當前-集電極截止(最大值)

300µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 1A, 4V

功率-最大

30W

頻率-過渡

3MHz

工作溫度

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Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 100mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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