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2N3057A

2N3057A

僅供參考

型號 2N3057A
PNEDA編號 2N3057A
描述 TRANS NPN 80V 1A TO-46
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,092
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 13 - 五月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N3057A資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N3057A
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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2N3057A規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)10nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce50 @ 500mA, 10V
功率-最大500mW
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-46-3

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80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 30mA, 6A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 4A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

-

工作溫度

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安裝類型

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500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 2V

功率-最大

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20000 @ 100mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

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100nA (ICBO)

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