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1N5406-G

1N5406-G

僅供參考

型號 1N5406-G
PNEDA編號 1N5406-G
描述 DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
制造商 Comchip Technology
單價 請求報價
庫存 8,424
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 16 - 五月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5406-G資源

品牌 Comchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5406-G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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1N5406-G規格

制造商Comchip Technology
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 3A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-201AD, Axial
供應商設備包裝DO-27 (DO-201AD)
工作溫度-結點-65°C ~ 125°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 650V

電容@ Vr,F

258pF @ 1V, 100kHz

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

2000V

電流-平均整流(Io)

3000A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.41V @ 4000A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

75mA @ 2000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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二極管類型

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80V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

810mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

600µA @ 80V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

8.5pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 90V

電容@ Vr,F

30pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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