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19MT050XF

19MT050XF

僅供參考

型號 19MT050XF
PNEDA編號 19MT050XF
描述 MOSFET 4N-CH 500V 31A MTP
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 8,172
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 30 - 五月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

19MT050XF資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號19MT050XF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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19MT050XF規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列HEXFET®
FET類型4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)31A
Rds On(Max)@ Id,Vgs220mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID6V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs160nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7210pF @ 25V
功率-最大1140W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱16-MTP Module
供應商設備包裝16-MTP

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.5mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

90nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 10V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

44mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1765pF @ 15V

功率-最大

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