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1214-32L

1214-32L

僅供參考

型號 1214-32L
PNEDA編號 1214-32L
描述 RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55AW-1
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,028
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 21 - 七月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1214-32L資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1214-32L
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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1214-32L規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
頻率-過渡1.2GHz ~ 1.4GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益7.8dB ~ 8.9dB
功率-最大125W
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce20 @ 1A, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)5A
工作溫度200°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱55AW-1
供應商設備包裝55AW-1

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增益

-

功率-最大

2W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 20mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-243AA

供應商設備包裝

SOT-89

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ON Semiconductor

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ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

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15V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

15dB

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 3mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

TO-92-3

KSC1674RTA

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

頻率-過渡

600MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 100MHz

增益

-

功率-最大

250mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 1mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

TO-92-3

2003

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

頻率-過渡

2GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

8.5dB

功率-最大

12W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 100mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

55BT-1

供應商設備包裝

55BT-1

NE85634-A

CEL

制造商

CEL

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

6.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

增益

9dB

功率-最大

2W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 20mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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