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1000MP

1000MP

僅供參考

型號 1000MP
PNEDA編號 1000MP
描述 RF TRANS NPN 1.15GHZ 55FW
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,208
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 8 - 五月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1000MP資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1000MP
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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1000MP規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
頻率-過渡1.15GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益10.8dB
功率-最大5.3W
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce15 @ 100mA, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)300mA
工作溫度-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱55FW
供應商設備包裝55FW

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1.8dB @ 2GHz

增益

9dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 10mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

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晶體管類型

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz

增益

9dB ~ 11dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 1mA, 2.7V

當前-集電極(Ic)(最大值)

16mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

SOT-23

BGB 540 E6327

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

3.5V

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.3dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益

16dB ~ 17.5dB

功率-最大

120mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-82A, SOT-343

供應商設備包裝

PG-SOT343-4

1214-110M

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

75V

頻率-過渡

1.2GHz ~ 1.4GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

7.4dB

功率-最大

270W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

55KT

供應商設備包裝

55KT

制造商

CEL

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

7GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.4dB ~ 2.7dB @ 1GHz

增益

-

功率-最大

140mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 7mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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