Instant Offers

型號	描述	庫存
2SK596S-C ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 0.1W 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 210µA @ 5V 電流消耗（Id）-最大: 1mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4.1pF @ 5V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 100mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: SC-72 供應商設備包裝: 3-SPA	庫存159
2N5457 Central Semiconductor Corp	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 0.31W TO-92 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 310mW 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92	請求報價
2N4416A Central Semiconductor Corp	晶體管-JFET JFET N-CH 35V 0.3W TO-72 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 35V 漏極至源極電壓（Vdss）: 35V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 5mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2.5V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 300mW 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 供應商設備包裝: TO-72	庫存1,818
MMBF4092 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 350MW SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 15mA @ 20V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 20V 電阻-RDS（On）: 50 Ohms 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存2,070
U431 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET DUAL P-CH 25V TO-78 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 24mA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 500mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-78-6 Metal Can 供應商設備包裝: TO-78-6	庫存3,324
SST5485-E3 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET P-CH 35V 4MA SOT-23 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 4mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23	庫存29,384
SST5462-T1-E3 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET P-CH 55V 4MA SOT-23 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 4mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1.8V @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23	庫存8,926
SST4416-E3 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET N-CH 36V 5MA SOT-23 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 5mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 3V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2.2pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23	庫存7,292
SST174-E3 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET N-CH 30V 20MA SOT-23 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 20mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 5V @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20pF @ 0V 電阻-RDS（On）: 85 Ohms 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: TO-236	庫存55,275
2N5115 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET P-CH 30V TO-18 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: - 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)	庫存8,882
2N4416A Vishay Siliconix	晶體管-JFET MOSFET N-CH 35V 5MA TO-206AF 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 35V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 5mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2.5V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 300mW 工作溫度: -50°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AF (TO-72)	庫存2,060
2N4416 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET N-CH 30V 0.3W TO-206AF 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 5mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 3V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 300mW 工作溫度: -50°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AF (TO-72)	庫存4,994
2N4393-E3 Vishay Siliconix	晶體管-JFET MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 5mA @ 20V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14pF @ 20V 電阻-RDS（On）: 100 Ohms 功率-最大: 1.8W 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)	庫存2,994
2N4393 Vishay Siliconix	晶體管-JFET MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 5mA @ 20V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14pF @ 20V 電阻-RDS（On）: 100 Ohms 功率-最大: 1.8W 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)	庫存14,098
2N4339 Vishay Siliconix	晶體管-JFET MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 50V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 500µA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 100nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 300mW 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)	庫存284
2N4117A Vishay Siliconix	晶體管-JFET MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 30µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 300mW 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AF (TO-72)	庫存8,198
2N4392 Vishay Siliconix	晶體管-JFET MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 25mA @ 20V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14pF @ 20V 電阻-RDS（On）: 60 Ohms 功率-最大: 1.8W 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)	庫存12,940
MMBFJ305 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 30V 0.225W SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 8mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 225mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23	庫存6,242
MMBF5458 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 350MW SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 2mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1V @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存68,025
MMBF5434 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 0.35W SUPERSOT-23 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 30mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1V @ 3nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 30pF @ 10V (VGS) 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SuperSOT-3	庫存1,327
MMBFJ271 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 6mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1.5V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 225mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存5,818
TF208TH-4-TL-H ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 1MA 100MW VTFP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 140µA @ 2V 電流消耗（Id）-最大: 1mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 100mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 2V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 100mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝: VTFP	庫存25,179
2SK715V-AC ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 50MA 300MW SPA 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: 15V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 10mA @ 5V 電流消耗（Id）-最大: 50mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 100µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10pF @ 5V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 300mW 工作溫度: 125°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: SC-72 供應商設備包裝: 3-SPA	庫存31,559
2SK715V ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 50MA 300MW SPA 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: 15V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 10mA @ 5V 電流消耗（Id）-最大: 50mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 100µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10pF @ 5V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 300mW 工作溫度: 125°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: SC-72 供應商設備包裝: 3-SPA	庫存112
MMBF4091 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 350MW SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 30mA @ 20V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 5V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 20V 電阻-RDS（On）: 30 Ohms 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存1,321
MMBF5462 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET P-CH 40V 0.225W SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 4mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1.8V @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 225mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存2
MMBF5459 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 350MW SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 4mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存8,752
J112RLRAG ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 35V 0.35W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 35V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 5mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1V @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: 50 Ohms 功率-最大: 350mW 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存265,570
SMMBF4391LT1G ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 30V 0.225W SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 50mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 4V @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14pF @ 15V (VGS) 電阻-RDS（On）: 30 Ohms 功率-最大: 225mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存6,978
MMBF5460 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET P-CH 40V 0.225W SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 750mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 225mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存46,111

2SK596S-C

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 0.1W

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 210µA @ 5V
電流消耗（Id）-最大: 1mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4.1pF @ 5V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 100mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: SC-72
供應商設備包裝: 3-SPA

庫存159

2N5457

Central Semiconductor Corp

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 0.31W TO-92

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 310mW
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92

請求報價

2N4416A

Central Semiconductor Corp

晶體管-JFET

JFET N-CH 35V 0.3W TO-72

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 35V
漏極至源極電壓（Vdss）: 35V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 5mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2.5V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 300mW
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
供應商設備包裝: TO-72

庫存1,818

MMBF4092

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 350MW SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 15mA @ 20V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 20V
電阻-RDS（On）: 50 Ohms
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存2,070

U431

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET DUAL P-CH 25V TO-78

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 24mA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 500mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-78-6 Metal Can
供應商設備包裝: TO-78-6

庫存3,324

SST5485-E3

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET P-CH 35V 4MA SOT-23

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 4mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23

庫存29,384

SST5462-T1-E3

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET P-CH 55V 4MA SOT-23

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: P-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 4mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1.8V @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23

庫存8,926

SST4416-E3

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET N-CH 36V 5MA SOT-23

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 5mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 3V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2.2pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23

庫存7,292

SST174-E3

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET N-CH 30V 20MA SOT-23

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: P-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 20mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 5V @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 20pF @ 0V
電阻-RDS（On）: 85 Ohms
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: TO-236

庫存55,275

2N5115

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET P-CH 30V TO-18

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: -
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)

庫存8,882

2N4416A

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

MOSFET N-CH 35V 5MA TO-206AF

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 35V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 5mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2.5V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 300mW
工作溫度: -50°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AF (TO-72)

庫存2,060

2N4416

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET N-CH 30V 0.3W TO-206AF

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 5mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 3V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 300mW
工作溫度: -50°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AF (TO-72)

庫存4,994

2N4393-E3

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 5mA @ 20V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14pF @ 20V
電阻-RDS（On）: 100 Ohms
功率-最大: 1.8W
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)

庫存2,994

2N4393

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 5mA @ 20V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14pF @ 20V
電阻-RDS（On）: 100 Ohms
功率-最大: 1.8W
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)

庫存14,098

2N4339

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 50V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 500µA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 100nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 300mW
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)

庫存284

2N4117A

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 30µA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 300mW
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AF (TO-72)

庫存8,198

2N4392

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 25mA @ 20V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14pF @ 20V
電阻-RDS（On）: 60 Ohms
功率-最大: 1.8W
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)

庫存12,940

MMBFJ305

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 30V 0.225W SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 8mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 225mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23

庫存6,242

MMBF5458

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 350MW SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 2mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1V @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存68,025

MMBF5434

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 0.35W SUPERSOT-23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 30mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1V @ 3nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 30pF @ 10V (VGS)
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SuperSOT-3

庫存1,327

MMBFJ271

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET P-CH 30V 0.225W SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 6mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1.5V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 225mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存5,818

TF208TH-4-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 1MA 100MW VTFP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 140µA @ 2V
電流消耗（Id）-最大: 1mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 100mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 2V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 100mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝: VTFP

庫存25,179

2SK715V-AC

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 50MA 300MW SPA

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: 15V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 10mA @ 5V
電流消耗（Id）-最大: 50mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 100µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10pF @ 5V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 300mW
工作溫度: 125°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: SC-72
供應商設備包裝: 3-SPA

庫存31,559

2SK715V

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 50MA 300MW SPA

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: 15V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 10mA @ 5V
電流消耗（Id）-最大: 50mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 100µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10pF @ 5V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 300mW
工作溫度: 125°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: SC-72
供應商設備包裝: 3-SPA

庫存112

MMBF4091

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 350MW SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 30mA @ 20V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 5V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 20V
電阻-RDS（On）: 30 Ohms
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存1,321

MMBF5462

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET P-CH 40V 0.225W SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 4mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1.8V @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 225mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存2

MMBF5459

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 350MW SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 4mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存8,752

J112RLRAG

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 35V 0.35W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 35V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 5mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1V @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: 50 Ohms
功率-最大: 350mW
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存265,570

SMMBF4391LT1G

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 30V 0.225W SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 50mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 4V @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14pF @ 15V (VGS)
電阻-RDS（On）: 30 Ohms
功率-最大: 225mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存6,978

MMBF5460

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET P-CH 40V 0.225W SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 750mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 225mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存46,111

Send Message

Certifications

Instant Offers

資源

支持

Social Media

Need Help?
Send Message