VS-GT100DA120UF數據表
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Vishay Semiconductor Diodes Division
此數據表涵蓋了1零件號:
VS-GT100DA120UF
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制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 HEXFRED® IGBT類型 Trench 配置 Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值） 187A 功率-最大 890W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 2.55V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值） 100µA 輸入電容（Cies）@ Vce 6.15nF @ 25V 輸入 Standard NTC熱敏電阻 No 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 SOT-227-4, miniBLOC 供應商設備包裝 SOT-227 |
