Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

VS-GP400TD60S數據表

VS-GP400TD60S數據表
總頁數: 9
大小: 161.66 KB
Vishay Semiconductor Diodes Division
此數據表涵蓋了1零件號: VS-GP400TD60S
VS-GP400TD60S數據表 頁面 1
VS-GP400TD60S數據表 頁面 2
VS-GP400TD60S數據表 頁面 3
VS-GP400TD60S數據表 頁面 4
VS-GP400TD60S數據表 頁面 5
VS-GP400TD60S數據表 頁面 6
VS-GP400TD60S數據表 頁面 7
VS-GP400TD60S數據表 頁面 8
VS-GP400TD60S數據表 頁面 9
VS-GP400TD60S

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

IGBT類型

PT, Trench

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

758A

功率-最大

1563W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.52V @ 15V, 400A

當前-集電極截止(最大值)

200µA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Dual INT-A-PAK (3 + 8)

供應商設備包裝

Dual INT-A-PAK