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VS-GB75DA120UP數據表

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Vishay Semiconductor Diodes Division
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VS-GB75DA120UP

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

IGBT類型

NPT

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

功率-最大

658W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.8V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SOT-227-4, miniBLOC

供應商設備包裝

SOT-227