TSM22P10CZ C0G數據表
Taiwan Semiconductor Corporation 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 100V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 22A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 140mOhm @ 20A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 3V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 42nC @ 10V Vgs(最大) ±25V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 2250pF @ 30V FET功能 - 功耗(最大值) 125W (Tc) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220 包裝/箱 TO-220-3 |
Taiwan Semiconductor Corporation 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 100V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 22A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 140mOhm @ 20A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 3V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 42nC @ 10V Vgs(最大) ±25V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 2250pF @ 30V FET功能 - 功耗(最大值) 48W (Tc) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 ITO-220 包裝/箱 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |