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TPC8018-H(TE12LQM)數據表

TPC8018-H(TE12LQM)數據表
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Toshiba Semiconductor and Storage
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TPC8018-H(TE12LQM)

Toshiba Semiconductor and Storage

制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.6mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2265pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

8-SOP (5.5x6.0)

包裝/箱

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)