TJ80S04M3L(T6L1數據表
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Toshiba Semiconductor and Storage
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TJ80S04M3L(T6L1,NQ
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制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 U-MOSVI FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 80A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 5.2mOhm @ 40A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 158nC @ 10V Vgs（最大） +10V, -20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 7770pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 100W (Tc) 工作溫度 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 DPAK+ 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
