TIP42CTU-T數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 - 技術 - 漏極至源極電壓（Vdss） - 電流-25°C時的連續漏極（Id） - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） - Rds On（Max）@ Id，Vgs - Vgs（th）（最大）@ ID - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs - Vgs（最大） - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - FET功能 - 功耗（最大值） - 工作溫度 - 安裝類型 - 供應商設備包裝 - 包裝/箱 - |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值） 6A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 1.5V @ 600mA, 6A 當前-集電極截止（最大值） 700µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 15 @ 3A, 4V 功率-最大 2W 頻率-過渡 3MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值） 6A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 100V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 1.5V @ 600mA, 6A 當前-集電極截止（最大值） 700µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 15 @ 3A, 4V 功率-最大 2W 頻率-過渡 3MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值） 6A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 100V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 1.5V @ 600mA, 6A 當前-集電極截止（最大值） 700µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 15 @ 3A, 4V 功率-最大 2W 頻率-過渡 3MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220-3 |
