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TH58BVG2S3HBAI4數據表

TH58BVG2S3HBAI4數據表
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Toshiba Memory America, Inc.
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TH58BVG2S3HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

制造商

Toshiba Memory America, Inc.

系列

Benand™

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND (SLC)

內存大小

4Gb (512M x 8)

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

63-VFBGA

供應商設備包裝

63-TFBGA (9x11)