SUP60030E-GE3數據表
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制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 7.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 3.4mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 141nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 7910pF @ 40V FET功能 - 功耗（最大值） 375W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220AB 包裝/箱 TO-220-3 |
