Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

SUD50N03-06P-E3數據表

SUD50N03-06P-E3數據表
總頁數: 5
大小: 63.78 KB
Vishay Siliconix
此數據表涵蓋了1零件號: SUD50N03-06P-E3
SUD50N03-06P-E3數據表 頁面 1
SUD50N03-06P-E3數據表 頁面 2
SUD50N03-06P-E3數據表 頁面 3
SUD50N03-06P-E3數據表 頁面 4
SUD50N03-06P-E3數據表 頁面 5
SUD50N03-06P-E3

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

84A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

8.3W (Ta), 88W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TO-252, (D-Pak)

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63