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STU2N62K3數據表

STU2N62K3數據表
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STMicroelectronics
此數據表涵蓋了5零件號: STU2N62K3, STB2N62K3, STF2N62K3, STP2N62K3, STD2N62K3
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STU2N62K3

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

SuperMESH3™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

620V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.6Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

340pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

45W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

I-PAK

包裝/箱

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

STB2N62K3

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

SuperMESH3™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

620V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.6Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

340pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

45W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TO-263 (D²Pak)

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STF2N62K3

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

SuperMESH3™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

620V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.6Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

340pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

20W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220FP

包裝/箱

TO-220-3 Full Pack

STP2N62K3

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

SuperMESH3™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

620V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.6Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

340pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

45W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220

包裝/箱

TO-220-3

STD2N62K3

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

SuperMESH3™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

620V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.6Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

340pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

45W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

DPAK

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63