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STL100N6LF6數據表

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STMicroelectronics
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STL100N6LF6

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

DeepGATE™, STripFET™ VI

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

130nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8900pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

4.8W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PowerFlat™ (5x6)

包裝/箱

8-PowerVDFN