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STI35N65M5數據表

STI35N65M5數據表
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STMicroelectronics
此數據表涵蓋了5零件號: STI35N65M5, STP35N65M5, STW35N65M5, STF35N65M5, STB35N65M5
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STI35N65M5

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

MDmesh™ V

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

27A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

98mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

83nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3750pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

160W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

I2PAK

包裝/箱

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

STP35N65M5

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

MDmesh™ V

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

27A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

98mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

83nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3750pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

160W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220AB

包裝/箱

TO-220-3

STW35N65M5

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

MDmesh™ V

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

27A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

98mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

83nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3750pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

160W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-247-3

包裝/箱

TO-247-3

STF35N65M5

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

MDmesh™ V

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

27A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

98mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

83nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3750pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220FP

包裝/箱

TO-220-3 Full Pack

STB35N65M5

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

MDmesh™ V

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

27A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

98mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

83nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3750pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

160W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D2PAK

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB