Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

STI11NM80數據表

STI11NM80數據表
總頁數: 22
大小: 904.76 KB
STMicroelectronics
此數據表涵蓋了5零件號: STI11NM80, STF11NM80, STW11NM80, STP11NM80, STB11NM80T4
STI11NM80數據表 頁面 1
STI11NM80數據表 頁面 2
STI11NM80數據表 頁面 3
STI11NM80數據表 頁面 4
STI11NM80數據表 頁面 5
STI11NM80數據表 頁面 6
STI11NM80數據表 頁面 7
STI11NM80數據表 頁面 8
STI11NM80數據表 頁面 9
STI11NM80數據表 頁面 10
STI11NM80數據表 頁面 11
STI11NM80數據表 頁面 12
STI11NM80數據表 頁面 13
STI11NM80數據表 頁面 14
STI11NM80數據表 頁面 15
STI11NM80數據表 頁面 16
STI11NM80數據表 頁面 17
STI11NM80數據表 頁面 18
STI11NM80數據表 頁面 19
STI11NM80數據表 頁面 20
STI11NM80數據表 頁面 21
STI11NM80數據表 頁面 22
STI11NM80

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

MDmesh™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

43.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1630pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tc)

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

I2PAK (TO-262)

包裝/箱

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

STF11NM80

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

MDmesh™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

43.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1630pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

35W (Tc)

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220FP

包裝/箱

TO-220-3 Full Pack

STW11NM80

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

MDmesh™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

43.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1630pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tc)

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-247-3

包裝/箱

TO-247-3

STP11NM80

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

MDmesh™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

43.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1630pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tc)

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220AB

包裝/箱

TO-220-3

STB11NM80T4

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

MDmesh™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

43.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1630pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tc)

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D2PAK

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB