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STB36NM60N數據表

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STMicroelectronics
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STB36NM60N

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

29A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

105mOhm @ 14.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

83.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2722pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

210W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D2PAK

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB