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SQD35N05-26L-GE3數據表

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Vishay Siliconix
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SQD35N05-26L-GE3

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1175pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TO-252, (D-Pak)

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63