Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

SPD26N06S2L-35數據表

SPD26N06S2L-35數據表
總頁數: 8
大小: 264.47 KB
Infineon Technologies
此數據表涵蓋了1零件號: SPD26N06S2L-35
SPD26N06S2L-35數據表 頁面 1
SPD26N06S2L-35數據表 頁面 2
SPD26N06S2L-35數據表 頁面 3
SPD26N06S2L-35數據表 頁面 4
SPD26N06S2L-35數據表 頁面 5
SPD26N06S2L-35數據表 頁面 6
SPD26N06S2L-35數據表 頁面 7
SPD26N06S2L-35數據表 頁面 8
SPD26N06S2L-35

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 26µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

790pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

68W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

P-TO252-3

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63