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SISS61DN-T1-GE3數據表

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Vishay Siliconix
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SISS61DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET® Gen III

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30.9A (Ta), 111.9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

231nC @ 10V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8740pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

5W (Ta), 65.8W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PowerPAK® 1212-8S

包裝/箱

PowerPAK® 1212-8S