Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

SIS612EDNT-T1-GE3數據表

SIS612EDNT-T1-GE3數據表
總頁數: 8
大小: 206.48 KB
Vishay Siliconix
此數據表涵蓋了1零件號: SIS612EDNT-T1-GE3
SIS612EDNT-T1-GE3數據表 頁面 1
SIS612EDNT-T1-GE3數據表 頁面 2
SIS612EDNT-T1-GE3數據表 頁面 3
SIS612EDNT-T1-GE3數據表 頁面 4
SIS612EDNT-T1-GE3數據表 頁面 5
SIS612EDNT-T1-GE3數據表 頁面 6
SIS612EDNT-T1-GE3數據表 頁面 7
SIS612EDNT-T1-GE3數據表 頁面 8
SIS612EDNT-T1-GE3

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.9mOhm @ 14A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

70nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2060pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)

包裝/箱

PowerPAK® 1212-8S