SIS612EDNT-T1-GE3數據表
Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 20V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 50A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On(Max)@ Id,Vgs 3.9mOhm @ 14A, 4.5V Vgs(th)(最大)@ ID 1.2V @ 1mA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 70nC @ 10V Vgs(最大) ±12V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 2060pF @ 10V FET功能 - 功耗(最大值) 3.7W (Ta), 52W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) 包裝/箱 PowerPAK® 1212-8S |