Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

SIRA04DP-T1-GE3數據表

SIRA04DP-T1-GE3數據表
總頁數: 13
大小: 340.17 KB
Vishay Siliconix
此數據表涵蓋了1零件號: SIRA04DP-T1-GE3
SIRA04DP-T1-GE3數據表 頁面 1
SIRA04DP-T1-GE3數據表 頁面 2
SIRA04DP-T1-GE3數據表 頁面 3
SIRA04DP-T1-GE3數據表 頁面 4
SIRA04DP-T1-GE3數據表 頁面 5
SIRA04DP-T1-GE3數據表 頁面 6
SIRA04DP-T1-GE3數據表 頁面 7
SIRA04DP-T1-GE3數據表 頁面 8
SIRA04DP-T1-GE3數據表 頁面 9
SIRA04DP-T1-GE3數據表 頁面 10
SIRA04DP-T1-GE3數據表 頁面 11
SIRA04DP-T1-GE3數據表 頁面 12
SIRA04DP-T1-GE3數據表 頁面 13
SIRA04DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.15mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

77nC @ 10V

Vgs(最大)

+20V, -16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3595pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

5W (Ta), 62.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PowerPAK® SO-8

包裝/箱

PowerPAK® SO-8