Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

SIB411DK-T1-GE3數據表

SIB411DK-T1-GE3數據表
總頁數: 7
大小: 123.77 KB
Vishay Siliconix
此數據表涵蓋了2零件號: SIB411DK-T1-GE3, SIB411DK-T1-E3
SIB411DK-T1-GE3數據表 頁面 1
SIB411DK-T1-GE3數據表 頁面 2
SIB411DK-T1-GE3數據表 頁面 3
SIB411DK-T1-GE3數據表 頁面 4
SIB411DK-T1-GE3數據表 頁面 5
SIB411DK-T1-GE3數據表 頁面 6
SIB411DK-T1-GE3數據表 頁面 7
SIB411DK-T1-GE3

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

66mOhm @ 3.3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 8V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

470pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.4W (Ta), 13W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PowerPAK® SC-75-6L Single

包裝/箱

PowerPAK® SC-75-6L

SIB411DK-T1-E3

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

66mOhm @ 3.3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 8V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

470pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.4W (Ta), 13W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PowerPAK® SC-75-6L Single

包裝/箱

PowerPAK® SC-75-6L