Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

SI8901EDB-T2-E1數據表

SI8901EDB-T2-E1數據表
總頁數: 6
大小: 97.24 KB
Vishay Siliconix
此數據表涵蓋了1零件號: SI8901EDB-T2-E1
SI8901EDB-T2-E1數據表 頁面 1
SI8901EDB-T2-E1數據表 頁面 2
SI8901EDB-T2-E1數據表 頁面 3
SI8901EDB-T2-E1數據表 頁面 4
SI8901EDB-T2-E1數據表 頁面 5
SI8901EDB-T2-E1數據表 頁面 6
SI8901EDB-T2-E1

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

2 P-Channel (Dual) Common Drain

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 350µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-MICRO FOOT®CSP

供應商設備包裝

6-Micro Foot™ (2.36x1.56)