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SI8410DB-T2-E1數據表

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Vishay Siliconix
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SI8410DB-T2-E1

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

37mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

850mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 8V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

620pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

780mW (Ta), 1.8W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

4-Micro Foot (1x1)

包裝/箱

4-UFBGA