Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

SI7790DP-T1-GE3數據表

SI7790DP-T1-GE3數據表
總頁數: 13
大小: 341.08 KB
Vishay Siliconix
此數據表涵蓋了1零件號: SI7790DP-T1-GE3
SI7790DP-T1-GE3數據表 頁面 1
SI7790DP-T1-GE3數據表 頁面 2
SI7790DP-T1-GE3數據表 頁面 3
SI7790DP-T1-GE3數據表 頁面 4
SI7790DP-T1-GE3數據表 頁面 5
SI7790DP-T1-GE3數據表 頁面 6
SI7790DP-T1-GE3數據表 頁面 7
SI7790DP-T1-GE3數據表 頁面 8
SI7790DP-T1-GE3數據表 頁面 9
SI7790DP-T1-GE3數據表 頁面 10
SI7790DP-T1-GE3數據表 頁面 11
SI7790DP-T1-GE3數據表 頁面 12
SI7790DP-T1-GE3數據表 頁面 13
SI7790DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

95nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4200pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

5.2W (Ta), 69W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PowerPAK® SO-8

包裝/箱

PowerPAK® SO-8