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SI1912EDH-T1-E3數據表

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Vishay Siliconix
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SI1912EDH-T1-E3

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.13A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

280mOhm @ 1.13A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

450mV @ 100µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

570mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供應商設備包裝

SC-70-6 (SOT-363)