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SI1029X-T1-E3數據表

SI1029X-T1-E3數據表
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Vishay Siliconix
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SI1029X-T1-E3

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

N and P-Channel

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

305mA, 190mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.75nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

30pF @ 25V

功率-最大

250mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-563, SOT-666

供應商設備包裝

SC-89-6

SI1029X-T1-GE3

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

N and P-Channel

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

305mA, 190mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.75nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

30pF @ 25V

功率-最大

250mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-563, SOT-666

供應商設備包裝

SC-89-6