SI1012R-T1-E3數據表
Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 20V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 500mA (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On(Max)@ Id,Vgs 700mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs(th)(最大)@ ID 900mV @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 0.75nC @ 4.5V Vgs(最大) ±6V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds - FET功能 - 功耗(最大值) 150mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 SC-75A 包裝/箱 SC-75A |
Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 20V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 500mA (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On(Max)@ Id,Vgs 700mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs(th)(最大)@ ID 900mV @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 0.75nC @ 4.5V Vgs(最大) ±6V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds - FET功能 - 功耗(最大值) 250mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 SC-89-3 包裝/箱 SC-89, SOT-490 |
Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 20V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 500mA (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On(Max)@ Id,Vgs 700mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs(th)(最大)@ ID 900mV @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 0.75nC @ 4.5V Vgs(最大) ±6V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds - FET功能 - 功耗(最大值) 150mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 SC-75A 包裝/箱 SC-75A |