RSF010P03TL數據表
|
制造商 Rohm Semiconductor 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 350mOhm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 1.9nC @ 5V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 120pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 800mW (Ta) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 TUMT3 包裝/箱 3-SMD, Flat Leads |
